![]() 在顯示器中之像素對像素連接
专利摘要:
提供可定位於一顯示螢幕中之不同顯示像素列中之兩個鄰近像素電極之間的分流結構,諸如分流線。兩個像素電極之間的導電分流結構可經組態以用於減小該等像素電極之間的電容性耦合。該分流結構可連接至諸如接地、AC接地等之電壓源。以此方式,例如,可減小鄰近像素電極之間的像素至像素電容。 公开号:TW201300904A 申请号:TW101118411 申请日:2012-05-23 公开日:2013-01-01 发明作者:Ho-Pil Bae 申请人:Apple Inc; IPC主号:G02F1-00
专利说明:
在顯示器中之像素對像素連接 本發明大體上係關於顯示器之子像素的掃描線,且更特定而言係關於子像素之間的電壓改變之耦合。 諸如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)顯示器等之各種類型之技術的顯示螢幕可用作廣泛之多種電子裝置的螢幕或顯示器,該等電子裝置包括諸如電視、電腦及手持式裝置(例如,蜂巢式電話、音訊及視訊播放器、遊戲系統等等)的消費型電子裝置。LCD裝置(例如)通常在相對薄之封裝中提供平板顯示器,該平板顯示器適用於多種電子商品中。此外,LCD裝置與可比較之顯示器技術相比較通常使用較少電力,從而使得LCD裝置適用於電池供電之裝置中或需要使電力使用最小化的其他情形下。 LCD裝置通常包括配置成矩陣之多個像元(像素)。像素可藉由掃描線及資料線電路來驅動以將影像顯示於顯示器上,該顯示器可在多個影像圖框中被週期性再新,使得使用者可感知到連續影像。基於施加至像素之液晶材料之電場的強度,LCD裝置之個別像素可准許來自背光之可變量的光通過像素。電場可由兩個電極(共同電極與像素電極)之電位差產生。在諸如電控雙折射率(ECB)LCD之一些LCD中,液晶可係在兩個電極之間。在諸如共平面切換型(IPS)LCD及邊緣電場切換型(FFS)LCD的其他LCD中,兩個電極可定位於液晶之同一側上。在許多顯示器中,由兩個電極產生之電場的方向可被週期性反向。舉例而言,LCD顯示器可使用各種反轉方案來掃描像素,其中施加至共同電極及像素電極之電壓的極性可經週期性切換,亦即,自正切換至負或自負切換至正。結果,施加至顯示面板中之各種線(諸如,用以使像素電極充電至目標電壓之資料線)之電壓的極性可根據特定反轉方案週期性切換。 以下描述包括諸如分流線之分流結構的實例,該等分流結構可定位於一顯示螢幕中之不同顯示像素列中的兩個鄰近像素電極之間。每一分流結構可連接至諸如接地、AC接地等之電壓源。以此方式,例如,可減小鄰近像素電極之間的像素至像素電容。 在實例實施例之以下描述中,參考形成實例實施例之一部分的隨附圖式,且在隨附圖式中借助於說明而展示了可實踐本發明之實施例的特定實施例。應理解,在不偏離本發明之實施例之範疇的情況下,可使用其他實施例且可進行結構改變。 以下描述包括諸如分流線之分流結構的實例,該等分流結構可定位於一顯示螢幕中之不同顯示像素列中的兩個鄰近像素電極之間。每一分流結構可連接至諸如接地、AC接地等之電壓源。以此方式,例如,可減小鄰近像素電極之間的像素至像素電容。 圖1A至圖1D展示可包括可根據本發明之實施例受到掃描之顯示螢幕的實例系統。圖1A說明包括顯示螢幕124之實例行動電話136。圖1B說明包括顯示螢幕126之實例數位媒體播放器140。圖1C說明包括顯示螢幕128之實例個人電腦144。圖1D說明諸如獨立顯示器之實例顯示螢幕150。在一些實施例中,顯示螢幕124、126、128及150可為包括觸控感測電路的觸控式螢幕。在一些實施例中,觸控感測電路可整合至顯示像素中。 圖1D說明實例顯示螢幕150之一些細節。圖1D包括顯示螢幕150之展示多個顯示像素153的放大視圖,該等顯示像素153中之每一者可包括多個顯示子像素,諸如RGB顯示器中的紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)子像素。儘管關於顯示像素描述各種實施例,但熟習此項技術者將理解,在顯示像素包括多個子像素之實施例中,術語顯示像素(或簡稱為「像素」)可與術語顯示子像素(或簡稱為「子像素」)互換地使用。舉例而言,針對RGB顯示器之一些實施例可包括分為紅色、綠色及藍色子像素之顯示像素。換言之,每一子像素可為紅色(R)、綠色(G)或藍色(B)子像素,其中所有三種R、G及B子像素之組合形成一個顯示像素。 資料線155可垂直地穿過顯示螢幕150,使得顯示像素行中之每一顯示像素可包括對應於每一顯示像素之三個子像素的三根資料線(R資料線、G資料線及B資料線)之集合156。在一些實施例中,集合156中之每一資料線155可在相應子像素之更新期間被同時操作。舉例而言,顯示驅動器可將資料線155之目標電壓同時施加至集合156中的資料線,以更新顯示像素之子像素。在一些實施例中,每一顯示像素中之三根資料線可被順序地操作。舉例而言,顯示驅動器可將R資料電壓、G資料電壓及B資料電壓多工至單一匯流排線上,且接著顯示器之邊界區中的解多工器可以特定序列使R、G及B資料電壓解多工從而將資料電壓施加至相應資料線。 舉例而言,圖1D亦包括顯示像素153中之兩者的放大視圖,該視圖說明每一顯示像素可包括像素電極157,像素電極157中之每一者可對應於子像素中之一者。顯示像素153可共用共同電極(Vcom)159,可結合像素電極157使用該共同電極(Vcom)159以產生跨越像素材料(未圖示)的電位。使跨越像素材料之電位發生變化可相應地使自子像素發射之光量發生變化。在一些實施例中,例如,像素材料可為液晶。共同電極電壓可施加至Vcom 159,且資料電壓可經由相應資料線155施加至顯示像素之子像素的像素電極157。施加至Vcom 159之共同電極電壓與施加至像素電極157之資料電壓之間的電壓差可產生跨越子像素之液晶的電位。Vcom 159與像素電極157之間的電位可產生通過液晶之電場,電場可引起液晶分子之傾斜以允許來自背光(未圖示)之偏振光自子像素發射,並具有一視電場之強度而定的照度(照度可視所施加共同電極電壓與資料電壓之間的電壓差而定)。在其他實施例中,像素材料可包括(例如)發光材料,諸如可用於有機發光二極體(OLED)顯示器中的發光材料。 在一些掃描方法中,可使跨越像素材料之電場的方向週期性反向。在LCD顯示器中,例如,週期性地切換電場之方向可幫助防止液晶分子卡在一方向上。切換電場方向可藉由使像素電極與Vcom之間的電位之極性反向來實現。換言之,自像素電極至Vcom之正電位可產生在一方向上跨越液晶之電場,且自像素電極至Vcom之負電位可產生在相反方向上跨越液晶的電場。在一些掃描方法中,切換像素電極與Vcom之間的電位之極性可藉由切換施加至像素電極及Vcom之電壓的極性來實現。舉例而言,在一圖框中之影像的更新期間,正電壓可施加至像素電極,且負電壓可施加至Vcom。在下一圖框中,負電壓可施加至像素電極,且正電壓可施加至Vcom。熟習此項技術者將理解,可在不切換施加至像素電極及Vcom中之任一者或兩者的電壓之極性的情況下實現切換像素電極與Vcom之間的電位極性。在此點上,儘管本文中將實例實施例描述為切換施加至資料線且相應地施加至像素電極之電壓的極性,但應理解,對正/負電壓極性之提及可表示相對電壓值。舉例而言,如本文中所描述,將負極性電壓施加至資料線可指代將具有正絕對值(例如,+1V)之電壓施加至資料線,同時(例如)將較高電壓施加至Vcom。換言之,在一些狀況下,例如,可藉由施加正(絕對值)電壓至像素電極及Vcom兩者而在像素電極與Vcom之間產生負極性電位。 相應像素或子像素之亮度(或照度)視像素電極電壓與Vcom電壓之間的差之量值而定。舉例而言,+2V之像素電極電壓與-3V之Vcom電壓之間的差之量值為5V。同樣,-2V之像素電極電壓與+3V之Vcom電壓之間的差之量值亦為5V。因此,在此實例中,自一圖框至下一圖框地切換像素電極電壓及Vcom電壓之極性將不改變像素或子像素之亮度。 各種反轉方案可用以週期性地切換像素電極及Vcom之極性。在單線反轉方案中,例如,當第一圖框之掃描完成時,像素電極上之正極性及負極性的位置可係呈每單一列交替的顯示器之列的型樣,例如,顯示螢幕之頂部處的第一列具有正極性,自頂部起之第二列具有負極性,自頂部起之第三列具有正極性等。在諸如第二圖框之隨後圖框中,可使電壓極性型樣反向,例如,第一列具有負極性,第二列具有正極性等。 在單線反轉中之掃描操作期間,可以與自顯示螢幕之頂部處之第一列至顯示螢幕之底部處之最後一列的列位置次序相同之掃描次序來更新該等列。舉例而言,可第一個更新顯示器之頂部處的第一列,接著可第二個更新自頂部起之第二列,接著可第三個更新自頂部起之第三列等。以此方式,在掃描操作期間可存在資料線上之電壓極性擺動的重複時序型樣。換言之,在掃描操作期間使資料線上之電壓重複地自正切換至負切換至正且切換至負等導致正及負電壓擺動的重複時序型樣。在單線反轉中,例如,在更新一列之後存在一個正電壓擺動,且在更新掃描次序中之下一列之後存在一個負電壓擺動。因此,在單線反轉中,正/負電壓擺動之時序型樣在更新具有兩個鄰近列之每一區塊之後重複。 在一些線反轉方案中,像素電極上之正及負極性的位置可係呈每兩列(對於2線反轉)、每三列(對於3線反轉)、每四列(對於4線反轉)等交替的顯示器之列的型樣。在2線反轉方案中,例如,當第一圖框之掃描完成時,像素電極上之正極性及負極性的位置可係呈每兩列交替的顯示器之列的型樣,例如,顯示螢幕之頂部處的第一列及第二列具有正極性,自頂部起之第三列及第四列具有負極性,且自頂部起之第五列及第六列具有正極性等。在諸如第二圖框之隨後圖框中,可使電壓極性型樣反向,例如,第一列及第二列具有負極性,第三列及第四列具有正極性等。一般而言,M線反轉方案中像素電極上之正及負極性的位置可每M列交替。 在M線反轉方案中,資料線上的電壓擺動可每2M列重複。換言之,在更新M列之後存在一個正電壓擺動,且在更新掃描次序中之接下來的M列之後存在一個負電壓擺動。因此,在M線反轉中,電壓極性之正改變及負改變之時序型樣在掃描具有2M個鄰近列之每一區塊之後重複。 在經重新排序的M線反轉方案中,像素電極上之交變正及負極性的所得型樣之位置可為與上述常規單線反轉相同的型樣,亦即,使極性每單列交替。然而,雖然上述常規線反轉方案可以列位置之順序次序更新該等列,但在經重新排序的線反轉方案中,可以並非順序之次序來更新該等列。在一實例經重新排序4線反轉方案中,掃描次序可用正極性更新具有八個列之區塊中之四個列,且用負極性更新區塊中之其他四個列。然而,不同於常規4線反轉,經重新排序4線反轉之掃描次序可用正極性電壓更新(例如)列1、3、5及7,且接著用負極性電壓更新列2、4、6及8。因此,在此實例經重新排序4線反轉方案中,正/負電壓擺動之時序型樣可在更新8個列之後(亦即,對於經重新排序M線反轉方案而言在更新2M個列之後)重複,此情形類似於常規4線反轉。然而,交變的正及負像素電極之位置的型樣可每單一列重複,此情形類似於常規單線反轉。以此方式,例如,經重新排序的線反轉方案可在單一圖框之掃描期間減小資料線上之電壓極性擺動的數目,同時維持交變極性之逐列位置。在此文件之內容脈絡中,在經重新排序的M線反轉方案中,M為大於一之整數。 因此,將不同極性電壓施加至顯示器之子像素之像素電極的特定次序及位置可視正用以掃描顯示器的特定反轉方案而定。 如下文將更詳細描述,將電壓施加至一像素列中之子像素可影響其他像素列中的子像素之電壓。舉例而言,可存在於像素電極之間的電容可允許一子像素(其在本文中可稱為「侵略子像素」或簡稱為「侵略像素」)之像素電極上的大電壓擺動(例如,自正極性電壓至負極性電壓,或反之亦然)耦合至鄰近列中之像素電極,此情形可導致鄰近列中之像素電極之電壓的改變。鄰近列中之像素電極之電壓改變可引起具有受影響像素電極之子像素(其在本文中可稱為「受害子像素」或簡稱為「受害像素」)的亮度之錯誤增大或減少。在一些狀況下,受害像素亮度之錯誤增大或減少可作為所顯示影像中之視覺假影而偵測到。如將自以下描述顯而易見,一些子像素在子像素之列的更新期間可為侵略子像素,且在另一列之更新期間可為受害子像素。 圖2說明包括像素電極201之配置的實例顯示螢幕200之一部分。像素電極201可具有類似於(例如)圖1D中之像素電極157的配置,其中像素電極可配置成水平的排(諸如,列203)。為了清楚,在此圖中未展示顯示螢幕200之列203中的其他像素電極。展示於圖2中之像素電極201可各自與資料線205(諸如,圖1D中之資料線155)相關聯。每一像素TFT 207可包括連接至資料線205之源極209、閘極211及連接至像素電極201之汲極213。一像素列203中之每一像素TFT 207可藉由將適當閘極線電壓施加至對應於該列之閘極線215而接通。在顯示螢幕200之掃描操作期間,一列203中之每一像素電極201的目標電壓可藉由在列中之每一像素電極的目標電壓正被施加至資料線205的同時,接通該列之具有相應閘極線215的像素TFT 207而個別地施加至該像素電極。 為了更新顯示螢幕200中之所有像素電極201,因此再新由顯示螢幕之子像素顯示的影像圖框,可藉由以特定掃描次序將適當閘極線電壓施加至閘極線215來掃描列203。舉例而言,按照列203之自顯示螢幕200之頂部處的第一列至顯示螢幕之底部處的最後列之位置次序,掃描次序可為順序的。換言之,可首先掃描顯示器之第一列,接著可掃描下一鄰近列(亦即,第二列),接著可掃描下一鄰近列(亦即,第三列)等。熟習此項技術者將理解,可使用其他掃描次序。 當特定列203正被掃描以用在該列之掃描期間施加至資料線205的目標資料電壓更新列之像素電極201上的電壓時,其他列之像素TFT 207可關斷,使得未正進行掃描之列中的像素電極保持自資料線斷開。以此方式,資料線上之資料電壓可被施加至當前正掃描之單一列,同時資料線上之電壓並不直接施加至其他列中的像素電極。 然而,更新特定列203之像素電極201的電壓可對其他列中之像素電極之電壓有影響。舉例而言,存在於鄰近像素電極201之間的像素至像素電容217(例如)可允許一像素電極中之電壓改變經由像素電極之間的電容耦合而影響鄰近像素電極的電壓值。 圖3說明可以逐線順序次序掃描列之實例掃描操作。展示於圖3中之反轉方案可為(例如)單線反轉(或單點反轉)。四個列303之像素電極301a至301d上的電壓由在每一像素電極旁之電壓圖表示,該等電壓圖展示在各個列之掃描期間在像素電極上的電壓。在圖框開始時,列1之像素電極301a可具有正電壓,列2之像素電極301b可具有負電壓,列3之像素電極301c可具有正電壓,且列4之像素電極301d可具有負電壓。圖框開始時之電壓可為(例如)在前一圖框期間施加至像素的目標電壓。換言之,像素電極301a至301d在圖框開始時之電壓可為用以顯示前一圖框之影像的電壓。在此實例中,可針對每一掃描線改變像素電極301a至301d上之電壓的極性(例如,單線反轉或單點反轉)。圖3展示列1之掃描,在該掃描期間,列1之像素電極301a之像素TFT 305可藉由將適當閘極線電壓施加至閘極線307而接通。在列1之掃描期間,如在像素電極旁之電壓圖中所展示,可將負電壓施加至資料線309以更新列1之像素電極上的電壓。像素電極301a之在列1之掃描期間的電壓圖展示自正電壓至負電壓之電壓擺動,在電壓圖中該電壓擺動由大向下箭頭表示。歸因於諸如上述電容耦合之效應,例如,像素電極301a之大負電壓擺動可引起諸如像素電極301b之鄰近像素電極中的相應負電壓擺動。此種對鄰近像素電極上之電壓的效應在量值上可為顯著較小的,因此,像素電極301b之電壓圖展示列1之掃描期間的微小負改變,在電壓圖中,該微小負改變由小的向下箭頭表示。如上文所描述,與像素電極相關聯之子像素的照度可視像素電壓之量值而定。像素電極301b中之由像素電極301a中之大負電壓擺動引起的負電壓改變可使像素電極301b之電壓的量值增大。因此,負電壓擺動對像素電極301a之效應可為像素電極301b之子像素的照度(例如,亮度)增大。在圖3中,像素電極301b之子像素亮度增大由包圍像素電極301b之影線記號表示。 在列2之掃描中,像素電極301b之像素TFT 305可藉由施加至相應閘極線307之閘極線電壓接通,同時其他列之像素TFT可保持關斷。在像素電極301b在列2之掃描期間連接至資料線309時,可將正目標電壓施加至資料線以更新像素電極301b的電壓。像素電極301b之電壓圖說明,正電壓之施加引起像素電極301b上之大正電壓擺動,在電壓圖中,該大正電壓擺動由大的向上箭頭表示。像素電極301b上之大正電壓擺動可相應地影響鄰近像素電極301a及301c上之電壓,從而導致兩個鄰近像素電極上之相對較小的正電壓改變。在相應電壓圖中,鄰近像素電極中之較小正電壓擺動由小的向上箭頭表示。像素電極301a上之正電壓改變可使像素電極上之負電壓量值減小,該量值減小可導致像素電極301a之子像素的亮度減少。換言之,像素電極301a之子像素的亮度可減小,使得子像素顯現為較暗的,在圖3中,此情形由列2之掃描中的展示於像素電極301a上之較粗黑邊界表示。 像素電極301b上之大正電壓擺動可導致像素電極301c之子像素之亮度增大,此係因為像素電極301c上之正電壓改變可使像素電極301c上之電壓的量值增大。在圖3中,像素電極301c之亮度增大由包圍像素電極301c之影線記號表示。 在列2之掃描中,將目標電壓施加至像素電極301b可修正或覆寫先前引入之錯誤之亮度增大。舉例而言,在列1之掃描中,歸因於發生於像素電極301a上之電壓擺動,使像素電極301b之子像素的亮度增大,從而使子像素顯現為較亮的。雖然像素電極301b之此增大之亮度原本可能作為顯示假影可見,但在此狀況下,錯誤之亮度增大在列2之掃描中可被快速覆寫,列2之掃描緊跟在列1之掃描之後。換言之,在列2之掃描中,像素電極301b上之電壓經更新至子像素之目標電壓,而無關於像素電極301b正自正確電壓(亦即,來自前一圖框之目標電壓)更新抑或自不正確電壓(例如,錯誤地較高或較低之電壓)更新。因此,在圖3中在列2之掃描期間,在影線記號被移除之情況下展示像素電極301b。換言之,列2之掃描可用當前目標電壓覆寫像素電極301b上的錯誤電壓。 在列3之掃描期間,如上文所描述,對應於像素電極301c之像素TFT 305可接通。可將負目標電壓施加至資料線309,如由電壓圖中之大向下箭頭所表示,此情形可使像素電極301c上之電壓自正擺動至負。像素電極301c上之負電壓擺動可引起像素電極301b及301d上之負電壓改變,從而引起像素電極301b上之正電壓量值減少及像素電極301d上之電壓量值的增大。因此,如前所述,更新像素電極301c上之電壓可藉由使像素電極301b之子像素顯現為較暗的且像素電極301d之子像素顯現為較亮的來影響鄰近子像素。 圖4展示在圖3中展示之實例掃描操作的另一表示。具體而言,圖4說明用於描述在掃描操作期間可發生之對子像素亮度之各種效應的簡化記法。下文在圖5之描述中將採用說明於圖4中的記法。 圖4說明包括子像素401之列303,子像素401對應於圖3之像素電極301a至301d的子像素。與每一子像素401相關聯之子像素電壓極性403展示於圖4中。子像素電壓極性403對應於展示於圖3中之像素電極301a至301d上之電壓的極性。圖4說明對應於圖3之在圖框開始時列1至4之子像素401上的電壓極性403。如上文所描述,在列1之更新期間,將目標電壓施加至列1中之子像素401的像素電極(亦即,像素電極301a)。在諸圖中,藉由子像素中之所施加電壓之極性正負號周圍之圓形的記法說明電壓至像素電極之直接施加。在諸圖中,藉由子像素中之對應於正電壓擺動之大向上箭頭或對應於負電壓擺動之大向下箭頭的記法說明子像素之像素電極上之歸因於電壓至像素電極之直接施加的大電壓擺動。 在展示於圖4中之列1的更新中,例如,施加至列1之子像素401之負目標電壓可引起負電壓擺動,此係因為子像素之子像素電壓極性403在列1之更新開始時(例如,在圖框開始時)為正。如上文所描述,負電壓擺動可引起列2之子像素401上的相應負電壓改變,在諸圖中,藉由小向下箭頭(或針對正電壓改變之小向上箭頭)之記法說明該相應負電壓改變。又如上文所描述,負電壓改變可使列2之子像素401顯現為較亮的,在諸圖中,此情形藉由用於子像素之左側邊界及右側邊界的虛線之記法來說明。 在展示於圖4中之列2的更新中,正極性目標電壓可施加至列2之子像素401,此情形可引起子像素上之大正電壓擺動。如上文所描述,歸因於對列1之子像素上之負極性電壓的相應正電壓改變,列1之子像素401可藉由變暗而受到影響。在諸圖中,藉由用於子像素之左側邊界及右側邊界的粗黑線之記法說明列1之子像素401之亮度減少(例如,較暗之外觀)。如上文所描述,列3之子像素401可歸因於由列2之子像素401之像素電極(亦即,像素電極301b)上的電壓擺動引起之正電壓改變而顯現為較亮的。因此,在圖4中,列3之子像素401的左側邊界及右側邊界被展示為虛線。展示於圖4中之列3的更新同樣表示列3之上述更新,其包括將負極性目標電壓施加至列3之子像素401、在相應像素電極上之大負擺動,及分別的列2及列4之子像素之亮度的所得減少及增大。 圖4亦說明列4之更新,其中列4之子像素401的極性改變可導致列3之前一子像素的亮度減少及列5之下一子像素(未圖示)的亮度增大。因此,自圖4可瞭解,每一列依據本實例之特定反轉方案(亦即,單線反轉(或單點反轉))的掃描可導致在前的列中之子像素的亮度減少及在後的列中之子像素的亮度增大。然而,下一列之亮度增大可隨後在下一掃描步驟中被覆寫,從而僅留下顯示器之每一子像素的亮度減少。 所有子像素之均勻亮度減少(或增大)可能不會被偵測為視覺假影。換言之,一些類型之反轉方案中的特定掃描次序可掩蓋像素至像素耦合對子像素照度的效應。另一方面,一些類型之反轉方案可能使可由像素至像素耦合產生的視覺假影加劇。 圖5說明使用經重新排序的4線反轉方案來更新顯示器之第一影像圖框的實例掃描操作。展示於圖5中之實例掃描操作可導致第一圖框中之一些子像素(但並非第一圖框中之其他子像素)的亮度之錯誤改變。在此實例掃描操作中,亮度改變可包括亮度減少。不受影響之子像素及較暗子像素可在顯示螢幕上產生具有不同亮度位準之型樣,若該型樣持續存在於顯示器之多個圖框更新中,則該型樣可能可被作為視覺假影偵測到。 圖5展示經重新排序的4線反轉方案之具有八個列之區塊(亦即,區塊2)之完整掃描,該區塊2包括列9至16。圖5亦說明區塊2上方的鄰近列(亦即,列8,其係區塊1中之最後列)之更新,及區塊2之後的鄰近列(亦即,列17,其係區塊3中之第一列)之更新。因為圖5說明在掃描操作過程中多個列之更新,所以為了清楚,圖5(及本文中之其他諸圖)每列僅展示一個子像素。展示於諸圖中之特定列的代表性子像素可藉由子像素所位於之列號來指代(例如,列9中之所說明子像素本文中可簡稱為子像素9)。然而,應理解,每一列可包括多個子像素。應進一步理解,視正使用之特定反轉方案(諸如,點反轉、線反轉等)而定,每一列中之其他子像素可具有與代表性子像素之極性相同及/或不同的極性。 在第一圖框開始時,區塊2之第一、第三、第五及第七列中之子像素(亦即,子像素9、11、13及15)的電壓極性可為負,且區塊2之第二、第四、第六及第八列中之子像素(亦即,子像素10、12、14及16)的電壓極性可為正。在經重新排序的4線反轉方案之此實例第一掃描次序中,可按特定線次序掃描每一區塊,在該特定線次序中,首先掃描每一區塊中之第一列子集,且接下來掃描該區塊之第二列子集。在圖5之實例中,可按在區塊內的以下線次序掃描每一區塊:第一列、第三列、第五列、第七列、第二列、第四列、第六列、第八列(第1、第3、第5、第7、第2、第4、第6、第8)。因此,在此實例中,第一列子集可為列1、3、5及7(可按該次序掃描該等列),且第二列子集可為列2、4、6及8(可按該次序掃描該等列)。 在第一圖框中顯示器的掃描可以區塊1中之第一列(亦即,列1,未圖示)的更新開始,且以列3、5、7、2、4及6(未圖示)之掃描繼續,直至掃描到達列8。圖5說明列8之掃描,在列8之該掃描期間,可將負電壓施加至子像素8之像素電極以將子像素更新至其針對第一圖框的目標電壓。更新子像素8可導致大負電壓擺動,該大負電壓擺動可引起列9之子像素(亦即,子像素9)之負電壓的相應負改變,從而導致子像素9之亮度增大。在列8之更新之後,區塊1之掃描可完成。 區塊2之掃描可以用正目標電壓更新列9(亦即,區塊2之第1列)開始,此情形可引起正電壓改變,從而用對子像素8之負電壓及子像素10之正電壓的正改變來影響鄰近子像素,從而導致子像素8之亮度減少及子像素10的亮度增大。掃描區塊2可以更新子像素11繼續,更新子像素11可導致子像素10之亮度的進一步增大。在圖5中引入新記法以表示子像素之亮度的進一步增大,亦即,受害子像素之亮度的錯誤增大發生兩次之狀況。子像素10之亮度的進一步增大藉由移除子像素之左側及右側邊界來表示。 更新子像素11亦可導致子像素12之亮度增大。如圖5中所展示,區塊2之掃描可以子像素13、15、10、12、14及16之更新繼續。在一些狀況下,在區塊2之掃描期間,受害子像素之亮度可(亦即)由兩個侵略子像素減少兩次。舉例而言,子像素11之亮度在子像素10之更新期間可被減少。接著,在子像素12之更新期間,子像素11之亮度可進一步被減少。在諸圖中,亮度之進一步減少由用於子像素之左側、右側、頂部及底部邊界的較粗黑線之新記法來表示。在列16之更新之後,區塊2之掃描可完成。 圖5亦展示區塊3中之第一列(亦即,子像素17)的更新,以說明(例如)在使用第一掃描次序的第一圖框中電壓擺動的自侵略子像素至受害子像素之像素至像素耦合在列17之更新完成之後的於區塊2中之最終效應(例如,如列21之更新期間所展示)。詳言之,子像素9及16可具有減少之亮度,子像素10、12及14可無亮度錯誤,且子像素11、13及15可具有進一步減少之亮度。若錯誤亮度之此型樣在多個圖框中持續,則該型樣可能可被作為視覺假影觀測到。 圖6說明根據本發明之實施例的包括像素電極601之間的實例分流結構之實例顯示螢幕600的一部分,該等像素電極601包括像素電極601a及鄰近像素電極601b。像素電極601可具有類似於(例如)圖2中之像素電極201的配置,其中像素電極可配置成水平的排(諸如,列603)。為了清楚,在此圖中未展示顯示螢幕600之列603中的其他像素電極。展示於圖6中之像素電極601可各自與資料線605(諸如,圖2中之資料線205)相關聯。每一像素電極601可與像素TFT607相關聯,該像素TFT 607可包括連接至資料線605之源極609、閘極611及連接至像素電極601的汲極613。一個像素列603中之每一像素TFT 607可藉由將適當閘極線電壓施加至對應於該列之閘極線615而接通。在顯示螢幕600之掃描操作期間,一列603中之每一像素電極601的目標電壓可藉由在列中之每一像素電極的目標電壓正被施加至資料線605的同時,接通該列的具有相應閘極線615之像素TFT 607而個別地施加至像素電極。 顯示螢幕600可包括鄰近列603中之像素電極601之間的導電分流結構(諸如,分流線619)。應理解,每一分流線619可在顯示像素之兩個鄰近列603之間延伸,且每一列可包括多個顯示像素。換言之,每一分流線619可在每一列603中之多個像素電極之間延伸。分流線619可為導電材料線,其可連接至一或多個電壓源(未圖示),諸如,接地、交流(AC)接地等。分流線619可經定位,使得存在於分流線與每一像素電極之間的像素至分流線電容621可減小鄰近排的顯示像素中之像素電極之間的像素至像素電容617。 圖7說明沿展示於圖6中之點A及A'之間的線之橫截面圖。圖7說明根據本發明之實施例的顯示螢幕600之實例堆疊結構700的更多細節。堆疊結構700可包括各種材料層,諸如彩色濾光片701、液晶703及TFT層705。TFT層705可包括介電層III(707)、介電層II(709)及介電層I(711)。分流線619可處於與像素電極601a及601b相同之材料層中,且分流線可係在兩個像素電極之間。共同電極(Vcom)713可由像素電極601a及601b共用,且像素電極可定位於Vcom與液晶703之間。導電介層孔715可將像素電極601a連接至像素TFT 607之汲極613,且導電介層孔717可將資料線605連接至像素TFT之源極609。施加至閘極線615之閘極線電壓可控制閘極611。 添加分流線619可引起像素電極601a與分流線619之間的像素至分流線電場719a及像素電極601b與分流線619之間的像素至分流線電場719b,此情形可減小原本將存在於像素電極601a與601b之間的電場。圖7說明像素電極601a與601b之間的減小之像素至像素電場721。以此方式,例如,分流線619可減小鄰近顯示像素列中之兩個像素電極之間的像素至像素電容。 在實例堆疊結構700中,分流線619可形成於與像素電極601a及601b相同之材料層中。在此點上,分流線可由與像素電極相同之材料(例如,諸如氧化銦錫(ITO)之實質透明金屬)形成。在一些實施例中,分流結構可包括其他實質透明金屬、不透明金屬或其他導電材料。 儘管關於可係導電材料線之分流結構描述了以上實例實施例,但熟習此項技術者將理解,一些實施例可具有具其他形狀及材料的分流結構。同樣,儘管關於可為實質矩形且配置成線性列之像素電極描述了以上實例實施例,但熟習此項技術者將理解,一些實施例可具有具其他形狀且可以其他配置定位的像素電極。 此外,儘管已參看隨附圖式充分地描述了本發明之實施例,但請注意,熟習此項技術者根據本描述及諸圖將顯而易見包括(但不限於)組合不同實施例之特徵、省略一特徵或數個特徵等的各種改變及修改。 舉例而言,如熟習此項技術者將理解,上述將影像顯示於顯示器上之功能中的一或多者可藉由可由處理器執行之電腦可執行指令(諸如,駐留於諸如記憶體之媒體中的軟體/韌體)來執行。軟體/韌體可儲存於任一電腦可讀媒體內及/或在任一電腦可讀媒體內進行輸送,以供指令執行系統、設備或裝置使用或結合指令執行系統、設備或裝置來使用,該等指令執行系統、設備或裝置係諸如基於電腦之系統、含有處理器之系統或可自指令執行系統、設備或裝置提取指令並執行該等指令的其他系統。在此文件之內容脈絡中,「非暫時性電腦可讀儲存媒體」可為可含有或儲存供指令執行系統、設備或裝置使用或結合指令執行系統、設備或裝置而使用之程式的任何實體媒體。非暫時性電腦可讀儲存媒體可包括(但不限於)電子、磁性、光學、電磁、紅外線或半導體系統、設備或裝置、攜帶型電腦磁片(磁性)、隨機存取記憶體(RAM)(磁性)、唯讀記憶體(ROM)(磁性)、可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM)(磁性)、攜帶型光碟(諸如CD、CD-R、CD-RW、DVD、DVD-R或DVD-RW),或快閃記憶體(諸如緊密快閃卡、安全數位卡、USB記憶體裝置、記憶棒及其類似者)。在此文件之內容脈絡中,「非暫時性電腦可讀儲存媒體」不包括信號。相對照地,在此文件之內容脈絡中,「電腦可讀媒體」可包括上述所有媒體,且亦可包括信號。 儘管關於顯示像素描述了各種實施例,但熟習此項技術者將理解,在將顯示像素分為子像素之實施例中,術語顯示像素可與術語顯示子像素互換地使用。舉例而言,針對RGB顯示器之一些實施例可包括分為紅色、綠色及藍色子像素之顯示像素。熟習此項技術者將理解,可使用其他類型之顯示螢幕。舉例而言,在一些實施例中,子像素可係基於其他顏色光或其他波長之電磁輻射(例如,紅外線),或可係基於單色組態,在該組態中在諸圖中展示作為子像素之每一結構可為具有單一顏色之像素。 因而,鑒於以上內容,本發明之一些實施例係關於一種顯示螢幕,其包含:複數排顯示像素,每一顯示像素包括一或多個像素電極,該複數排顯示像素包括第一排顯示像素中之一第一顯示像素及一第二排顯示像素中的第二顯示像素,該第二排顯示像素鄰近於該第一排顯示像素;複數個閘極線,每一閘極線與該等排顯示像素中之一排顯示像素相關聯;複數根資料線;及一導電分流結構,其安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間,且經組態以用於減小該第一像素電極與該第二像素電極之間的電容性耦合。在其他實施例中,該導電分流結構安置於與該第一像素電極及該第二像素電極相同之材料層中。在其他實施例中,該導電分流結構包括安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間的一導電線。在其他實施例中,該導電線進一步安置於該第一排顯示像素及該第二排顯示像素中之每一者中的複數個該等像素電極之間。在其他實施例中,該導電分流結構以一預定電壓電連接至一電壓源。在其他實施例中,該預定電壓為接地、交流(AC)接地中的一者。在其他實施例中,該顯示螢幕併入於一計算系統中。 其他實施例係關於一種包括一顯示螢幕之行動電話,該顯示螢幕包含:複數排顯示像素,每一顯示像素包括一或多個像素電極,該複數排顯示像素包括第一排顯示像素中之一第一顯示像素及一第二排顯示像素中的第二顯示像素,該第二排顯示像素鄰近於該第一排顯示像素;複數個閘極線,每一閘極線與該等排顯示像素中之一排顯示像素相關聯;複數根資料線;及一導電分流結構,其安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間,且經組態以用於減小該第一像素電極與該第二像素電極之間的電容性耦合。 其他實施例係關於一種包括一顯示螢幕之數位媒體播放器,該顯示螢幕包含:複數排顯示像素,每一顯示像素包括一或多個像素電極,該複數排顯示像素包括第一排顯示像素中之一第一顯示像素及一第二排顯示像素中的第二顯示像素,該第二排顯示像素鄰近於該第一排顯示像素;複數個閘極線,每一閘極線與該等排顯示像素中之一排顯示像素相關聯;複數根資料線;及一導電分流結構,其安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間,且經組態以用於減小該第一像素電極與該第二像素電極之間的電容性耦合。 124‧‧‧顯示螢幕 126‧‧‧顯示螢幕 128‧‧‧顯示螢幕 136‧‧‧實例行動電話 140‧‧‧實例數位媒體播放器 144‧‧‧實例個人電腦 150‧‧‧實例顯示螢幕 153‧‧‧顯示像素 155‧‧‧資料線 156‧‧‧資料線集合 157‧‧‧像素電極 159‧‧‧共同電極(Vcom) 200‧‧‧實例顯示螢幕 201‧‧‧像素電極 203‧‧‧列 205‧‧‧資料線 207‧‧‧像素TFT 209‧‧‧源極 211‧‧‧閘極 213‧‧‧汲極 215‧‧‧閘極線 217‧‧‧像素至像素電容 301a‧‧‧像素電極 301b‧‧‧像素電極 301c‧‧‧像素電極 301d‧‧‧像素電極 303‧‧‧列 305‧‧‧像素TFT 307‧‧‧閘極線 309‧‧‧資料線 401‧‧‧子像素 403‧‧‧子像素電壓極性 600‧‧‧實例顯示螢幕 601a‧‧‧像素電極 601b‧‧‧鄰近像素電極 603‧‧‧列 605‧‧‧資料線 607‧‧‧像素TFT 609‧‧‧源極 611‧‧‧閘極 613‧‧‧汲極 615‧‧‧閘極線 617‧‧‧像素至像素電容 619‧‧‧分流線 621‧‧‧像素至分流線電容 701‧‧‧彩色濾光片 703‧‧‧液晶 705‧‧‧TFT層 707‧‧‧介電層III 709‧‧‧介電層II 711‧‧‧介電層I 713‧‧‧共同電極(Vcom) 715‧‧‧導電介層孔 717‧‧‧導電介層孔 719a‧‧‧像素至分流線電場 719b‧‧‧像素至分流線電場 721‧‧‧減小之像素至像素電場 圖1A至圖1D說明各自包括可根據本發明之實施例受到掃描之實例顯示螢幕的實例行動電話、實例媒體播放器、實例個人電腦及實例顯示器。 圖2說明包括像素電極之配置之實例顯示螢幕的一部分。 圖3說明可以逐線順序次序掃描列之實例掃描操作中的視覺假影之顯現。 圖4展示在圖3中展示之實例掃描操作的另一表示。 圖5說明可以經重新排序的4線反轉方案掃描列之另一實例掃描操作。 圖6說明根據本發明之實施例的包括像素電極之間的分流結構之實例顯示螢幕的一部分。 圖7說明根據本發明之實施例的圖6之實例顯示螢幕之實例堆疊結構的更多細節。 601a‧‧‧像素電極 601b‧‧‧鄰近像素電極 605‧‧‧資料線 607‧‧‧像素TFT 609‧‧‧源極 611‧‧‧閘極 613‧‧‧汲極 615‧‧‧閘極線 619‧‧‧分流線 701‧‧‧彩色濾光片 703‧‧‧液晶 705‧‧‧TFT層 707‧‧‧介電層III 709‧‧‧介電層II 711‧‧‧介電層I 713‧‧‧共同電極(Vcom) 715‧‧‧導電介層孔 717‧‧‧導電介層孔 719a‧‧‧像素至分流線電場 719b‧‧‧像素至分流線電場 721‧‧‧減小之像素至像素電場
权利要求:
Claims (9) [1] 一種顯示螢幕,其包含:複數排顯示像素,每一顯示像素包括一或多個像素電極,該複數排顯示像素包括第一排顯示像素中之一第一顯示像素及一第二排顯示像素中的一第二顯示像素,該第二排顯示像素鄰近於該第一排顯示像素;複數個閘極線,每一閘極線與該等排顯示像素中之一排顯示像素相關聯;複數根資料線;及一導電分流結構,其安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間,且經組態以用於減小該第一像素電極與該第二像素電極之間的電容性耦合。 [2] 如請求項1之顯示螢幕,其中該導電分流結構安置於與該第一像素電極及該第二像素電極相同之材料層中。 [3] 如請求項1之顯示螢幕,其中該導電分流結構包括安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間的一導電線。 [4] 如請求項3之顯示螢幕,其中該導電線進一步安置於該第一排顯示像素及該第二排顯示像素中之每一者中的複數個該等像素電極之間。 [5] 如請求項1之顯示螢幕,其中該導電分流結構以一預定電壓電連接至一電壓源。 [6] 如請求項5之顯示螢幕,其中該預定電壓為接地及一交流(AC)接地中的一者。 [7] 如請求項1之顯示螢幕,該顯示螢幕併入於一計算系統中。 [8] 一種包括一顯示螢幕之行動電話,其包含:複數排顯示像素,每一顯示像素包括一或多個像素電極,該複數排顯示像素包括第一排顯示像素中之一第一顯示像素及一第二排顯示像素中的一第二顯示像素,該第二排顯示像素鄰近於該第一排顯示像素;複數個閘極線,每一閘極線與該等排顯示像素中之一排顯示像素相關聯;複數根資料線;及一導電分流結構,其安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間,且經組態以用於減小該第一像素電極與該第二像素電極之間的電容性耦合。 [9] 一種包括一顯示螢幕之數位媒體播放器,其包含:複數排顯示像素,每一顯示像素包括一或多個像素電極,該複數排顯示像素包括第一排顯示像素中之一第一顯示像素及一第二排顯示像素中的一第二顯示像素,該第二排顯示像素鄰近於該第一排顯示像素;複數個閘極線,每一閘極線與該等排顯示像素中之一排顯示像素相關聯;複數根資料線;及一導電分流結構,其安置於該第一像素電極與該第二像素電極之間,且經組態以用於減小該第一像素電極與該第二像素電極之間的電容性耦合。
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引用文献:
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申请号 | 申请日 | 专利标题 PCT/US2011/037809|WO2012161702A1|2011-05-24|2011-05-24|Pixel-to-pixel coupling in displays| 相关专利
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